Počet záznamov: 1  

Electrical and DLTS Characterization of Gate Interfaces in GaN-based Trench-gate semi-vertical MOS devices

  1. Údaje o názveElectrical and DLTS Characterization of Gate Interfaces in GaN-based Trench-gate semi-vertical MOS devices / aut. Juraj Marek, Miroslav Mikolášek, Jakub Drobný, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, K Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Shuzhen You, Stefaan Decoutere, Ľubica Stuchlíková
    Záhlavie-meno Marek, Juraj, 1983- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Ďal.zodpovednosť Mikolášek, Miroslav, 1983- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Drobný, Jakub, 1994- Z3 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Kozárik, Jozef, 1993- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Geens, K. (Autor)
    Borga, Matteo (Autor)
    Liang, Hu Z6 (Autor)
    You, Shuzhen (Autor)
    Decoutere, Stefaan Z6 (Autor)
    Stuchlíková, Ľubica, 1967- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    In SSSI 2020 [108 s.] / International conference solid state surfaces and interfaces. -- Bratislava : Comenius University, 2020. -- ISBN 978-80-223-5018-1. -- S. 57-58
    Jazyk dok.angličtina
    Druh dok.RZB - článok zo zborníka
    KategóriaAFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií
    Kategória od 2022V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Rok2020
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.