Počet záznamov: 1
Models for the self-heating evaluation of a gallium nitride-based high electron mobility transistor
Údaje o názve Models for the self-heating evaluation of a gallium nitride-based high electron mobility transistor / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Martin Weis, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage Záhlavie-meno Florovič, Martin, 1978- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Kováč, Jaroslav, 1947- Z8 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Weis, Martin, 1980- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Jacquet, Jean-Claude Z6 (Autor) Delage, Sylvain Laurent Z6 (Autor) Prekl.náz Modely pre popis vlastného ohrievania HEMT na báze GaN In Semiconductor Science and Technology. -- ISSN 0268-1242. -- Vol. 36, No. 2 (2021), Art. no. 025019 [9] s. Predmet.heslá Gallium Nitride field-effect transistor High electron mobility transistor average temperature thermal resistance Jazyk dok. angličtina Druh dok. RBX - článok z periodika Kategória ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Kategória od 2022 V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu V databázach CC: 000605472100001
WOS: 000605472100001
DOI: 10.1088/1361-6641/abd15a
SCOPUS: 2-s2.0-85099881864Rok 2021 
článok
Počet záznamov: 1