Počet záznamov: 1  

Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique

  1. Údaje o názveIdentification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Steve Stoffels, Brice De Jaeger, Stefaan Decoutere
    Záhlavie-meno Priesol, Juraj, 1986- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Ďal.zodpovednosť Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Stoffels, Steve Z6 (Autor)
    De Jaeger, Brice (Autor)
    Decoutere, Stefaan Z6 (Autor)
    In IEEE Transactions on Electron Devices. -- ISSN 0018-9383. -- Vol. 68, No. 1 (2021), s. 216-221
    Predmet.heslá AlGaN/GaN
    electric field
    electrical stress
    EBIC
    Focused Ion Beam
    Scanning electron microscopy
    Schottky diode
    TCAD simulation
    Jazyk dok.angličtina
    URLhttps://ieeexplore.ieee.org/document/9288930
    Druh dok.RBX - článok z periodika
    KategóriaADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    Kategória od 2022V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    V databázach CC: 000603033200017
    WOS: 000603033200017
    DOI: 10.1109/TED.2020.3039756
    SCOPUS: 2-s2.0-85097945812
    Rok2021
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.