Počet záznamov: 1
Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique
Údaje o názve Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, Aleš Chvála, Steve Stoffels, Brice De Jaeger, Stefaan Decoutere Záhlavie-meno Priesol, Juraj, 1986- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Stoffels, Steve Z6 (Autor) De Jaeger, Brice (Autor) Decoutere, Stefaan Z6 (Autor) In IEEE Transactions on Electron Devices. -- ISSN 0018-9383. -- Vol. 68, No. 1 (2021), s. 216-221 Predmet.heslá AlGaN/GaN electric field electrical stress EBIC Focused Ion Beam Scanning electron microscopy Schottky diode TCAD simulation Jazyk dok. angličtina URL https://ieeexplore.ieee.org/document/9288930 Druh dok. RBX - článok z periodika Kategória ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Kategória od 2022 V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu V databázach CC: 000603033200017
WOS: 000603033200017
DOI: 10.1109/TED.2020.3039756
SCOPUS: 2-s2.0-85097945812Rok 2021 článok
Počet záznamov: 1