Počet záznamov: 1
DLTS study of emission and capture processes in InAlGaN/GaN HEMT structures for 5G
Údaje o názve DLTS study of emission and capture processes in InAlGaN/GaN HEMT structures for 5G / aut. Michal Matúš, Jakub Drobný, Jakub Vadovský, Arpád Kósa, Peter Benko, Jaroslav jr Kováč, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková Záhlavie-meno Matuš, Matej (Autor) - FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky Ďal.zodpovednosť Drobný, Jakub, 1994- Z3 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Vadovský, Jakub, 1997- Z4 (Autor) - FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky Kósa, Arpád, 1987- Z8 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Benko, Peter, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Delage, Sylvain Laurent Z6 (Autor) Stuchlíková, Ľubica, 1967- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky In ASDAM 2020 [171 s.] / International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM 2020). -- Danvers : IEEE, 2020. -- ISBN 978-1-7281-9776-0. -- ISSN 2474-9737. -- S. 119-122 Jazyk dok. angličtina URL https://ieeexplore.ieee.org/document/9393839 Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória od 2022 V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka V databázach WOS: 000669651600027
DOI: 10.1109/ASDAM50306.2020.9393839
SCOPUS: 2-s2.0-85104499977Rok 2020 
článok
Počet záznamov: 1