Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements

Počet záznamov: 1

Údaje o názve	Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements / aut. Tibor Izsák, Gabriel Vanko, Oleg Babčenko, Andrej Vincze, Marian Vojs, Bohumír Zaťko, Alexander Kromka
Záhlavie-meno	Izsák, Tibor (Autor)
Ďal.zodpovednosť	Vanko, Gabriel Z5 (Autor)
	Babčenko, Oleg (Autor)
	Vincze, Andrej, 1975- (Autor)
	Vojs, Marian, 1979- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
	Zaťko, Bohumír (Autor)
	Kromka, Alexander, 1971- (Autor)
In	Materials Science and Engineering B. -- ISSN 0921-5107. -- Vol. 273, (2021), Art. no. 115434 [6] s.
Predmet.heslá	polycrystalline diamond
	GaN
	Raman spectroscopy
	stress
	SIMS
Jazyk dok.	angličtina
URL	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510721003913#!
Druh dok.	RBX - článok z periodika
Kategória	ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
Kategória od 2022	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
V databázach
Rok	2021

článok

citace PRO

Počet záznamov: 1