Počet záznamov: 1
Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: Role of deep levels
Údaje o názve Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: Role of deep levels / aut. Roman Stoklas, Aleš Chvála, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Štefan Haščík, Juraj Priesol, Alexander Šatka, Ján Kuzmík Záhlavie-meno Stoklas, Roman (Autor) Ďal.zodpovednosť Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Šichman, Peter (Autor) Hasenöhrl, Stanislav Z5 (Autor) Haščík, Štefan Z5 (Autor) Priesol, Juraj, 1986- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Kuzmík, Ján (Autor) In IEEE Transactions on Electron Devices. -- ISSN 0018-9383. -- Vol. 68, No. 5 (2021), s. 2365-2371 Predmet.heslá Carrier compensation electrical breakdown Semi-insulating simulation space-charge-limited current Vertical transistor Jazyk dok. angličtina URL https://ieeexplore.ieee.org/document/9384237 Druh dok. RBX - článok z periodika Kategória ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Kategória od 2022 V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu V databázach CC: 000642766300033
WOS: 000642766300033
DOI: 10.1109/TED.2021.3065893
SCOPUS: 2-s2.0-85103267028Rok 2021 
článok
Počet záznamov: 1