Počet záznamov: 1
Theoretical and experimental substractions of device temperature determination utilizing I-V characterization applied on AlGaN/GaN HEMT
Údaje o názve Theoretical and experimental substractions of device temperature determination utilizing I-V characterization applied on AlGaN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage Záhlavie-meno Florovič, Martin, 1978- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Kováč, Jaroslav, 1947- Z8 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Jacquet, Jean-Claude Z6 (Autor) Delage, Sylvain Laurent Z6 (Autor) In Electronics. -- ISSN 2079-9292. -- Vol. 10, iss. 22 (2021), Art. no. 2738 [12] s. Predmet.heslá AlGaN FET GaN HEMT thermal current temperature profile average temperature Jazyk dok. angličtina URL https://www.mdpi.com/2079-9292/10/22/2738 Druh dok. RBX - článok z periodika Kategória ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Kategória od 2022 V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu V databázach CC: 000723784000001
WOS: 000723784000001
DOI: 10.3390/electronics10222738
SCOPUS: 2-s2.0-85118713862Rok 2021 článok
Počet záznamov: 1