Počet záznamov: 1  

Theoretical and experimental substractions of device temperature determination utilizing I-V characterization applied on AlGaN/GaN HEMT

  1. Údaje o názveTheoretical and experimental substractions of device temperature determination utilizing I-V characterization applied on AlGaN/GaN HEMT / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Záhlavie-meno Florovič, Martin, 1978- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Ďal.zodpovednosť Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Chvála, Aleš, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Kováč, Jaroslav, 1947- Z8 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Jacquet, Jean-Claude Z6 (Autor)
    Delage, Sylvain Laurent Z6 (Autor)
    In Electronics. -- ISSN 2079-9292. -- Vol. 10, iss. 22 (2021), Art. no. 2738 [12] s.
    Predmet.heslá AlGaN
    FET
    GaN
    HEMT
    thermal current
    temperature profile
    average temperature
    Jazyk dok.angličtina
    URLhttps://www.mdpi.com/2079-9292/10/22/2738
    Druh dok.RBX - článok z periodika
    KategóriaADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    Kategória od 2022V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    V databázach CC: 000723784000001
    WOS: 000723784000001
    DOI: 10.3390/electronics10222738
    SCOPUS: 2-s2.0-85118713862
    Rok2021
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.