Počet záznamov: 1
Growth of gallium oxide on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD
Údaje o názve Growth of gallium oxide on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Javad Keshtkar, Fridrich Egyenes, Miroslav Mikolášek, Karol Fröhlich, Milan Ťapajna Záhlavie-meno Gucmann, Filip, 1987- (Autor) Ďal.zodpovednosť Hušeková, Kristína (Autor) Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Autor) Nádaždy, Peter Z5 (Autor) Keshtkar, Javad (Autor) Egyenes, Fridrich (Autor) Mikolášek, Miroslav, 1983- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Fröhlich, Karol 1954- (Autor) Ťapajna, Milan, 1977- (Autor) In WOCSDICE‐EXMATEC 2022 / Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe. -- Aveiro : Universidade di Aveiro, 2022. -- S. OP 7-8 Jazyk dok. angličtina Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované) Kategória od 2022 O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok 2022 
článok
Počet záznamov: 1