Počet záznamov: 1
Investigation of electrically active defects in quasi-vertical GaN devices for high power applications
Údaje o názve Investigation of electrically active defects in quasi-vertical GaN devices for high power applications / aut. Matej Matuš, Juraj Marek, Jakub Drobný, Karen Geens, Matteo Borga, Hu Liang, Stefaan Decoutere, Herwig Hahn, M Heuken, Ľubica Stuchlíková Záhlavie-meno Matuš, Matej, 1997- (Autor) - FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky Ďal.zodpovednosť Marek, Juraj, 1983- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Drobný, Jakub, 1994- Z3 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Geens, Karen (Autor) Borga, Matteo (Autor) Liang, Hu Z6 (Autor) Decoutere, Stefaan Z6 (Autor) Hahn, Herwig (Autor) Heuken, M. (Autor) Stuchlíková, Ľubica, 1967- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky In ADEPT 2022 [274 s.] / Feiler, Martin. -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2022. -- ISBN 978-80-554-1884-1. -- S. 63-66 Predmet.heslá quasi-vertical MOSFET GaN electrically active defects DLTFS Jazyk dok. angličtina Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória od 2022 V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok 2022 
článok
Počet záznamov: 1