Comparative study of the MeV ion channeling implantation induced damage in 6H-SiC by the iterative procedure and phenomenological CSIM computer code

Počet záznamov: 1

Údaje o názve	Comparative study of the MeV ion channeling implantation induced damage in 6H-SiC by the iterative procedure and phenomenological CSIM computer code / aut. Marko P Gloginjić, Marko V Erich, Željko V Mravik, Branislav Vrban, Štefan Čerba, Jakub Lüley, Vendula Filová, Karel Katovský, Ondřej Štastný, Jiří Burian, Srdjan M Petrović
Záhlavie-meno	Gloginjić, Marko P. (Autor)
Ďal.zodpovednosť	Erich, Marko V. (Autor)
	Mravik, Željko V. (Autor)
	Vrban, Branislav, 1986- Z1 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva
	Čerba, Štefan, 1985- Z2 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva
	Lüley, Jakub, 1986- Z2 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva
	Filová, Vendula, 1995- Z3 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva
	Katovský, Karel (Autor)
	Štastný, Ondřej (Autor)
	Burian, Jiří (Autor)
	Petrović, Srdjan M. (Autor)
In	Nuclear Technology and Radiation Protection. -- ISSN 1451-3994. -- Vol. 37, Iss. 2 (2022), s. 128-137
Predmet.heslá	silicon carbide
	computer simulation
	iterative procedure
	RBS/C and EBS/C spectrometry
Jazyk dok.	angličtina
URL	http://www.doiserbia.nb.rs/Article.aspx?id=1451-39942202128G#.Y3dbPOSZOUk
Druh dok.	RBX - článok z periodika
Kategória	ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
Kategória od 2022	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
V databázach
Rok	2022

článok

citace PRO

Počet záznamov: 1