Počet záznamov: 1
Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD
Údaje o názve Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Peter Nádaždy, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Juraj Priesol, Fridrich Egyenes, Alexander Šatka, Alica Rosová, Milan Ťapajna Záhlavie-meno Gucmann, Filip, 1987- (Autor) Ďal.zodpovednosť Nádaždy, Peter Z5 (Autor) Hušeková, Kristína (Autor) Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Autor) Priesol, Juraj, 1986- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Egyenes, Fridrich (Autor) Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Rosová, Alica (Autor) Ťapajna, Milan, 1977- (Autor) In Materials Science in Semiconductor Processing. -- ISSN 1369-8001. -- Vol. 156, (2023), Art. no. 107289 [9] s. Predmet.heslá Ga2O3 Gallium oxide thermal stability MOCVD degradation Jazyk dok. angličtina URL https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800122008162 Druh dok. RBX - článok z periodika Kategória ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Kategória od 2022 V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok V databázach CC: 000913945200001
WOS: 000913945200001
DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107289
SCOPUS: 2-s2.0-85145591143Rok 2023 článok
Počet záznamov: 1