- Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on …
Počet záznamov: 1  

Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD

  1. Údaje o názveThermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Peter Nádaždy, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Juraj Priesol, Fridrich Egyenes, Alexander Šatka, Alica Rosová, Milan Ťapajna
    Záhlavie-meno Gucmann, Filip, 1987- (Autor)
    Ďal.zodpovednosť Nádaždy, Peter Z5 (Autor)
    Hušeková, Kristína (Autor)
    Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Autor)
    Priesol, Juraj, 1986- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Egyenes, Fridrich (Autor)
    Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Rosová, Alica (Autor)
    Ťapajna, Milan, 1977- (Autor)
    In Materials Science in Semiconductor Processing. -- ISSN 1369-8001. -- Vol. 156, (2023), Art. no. 107289 [9] s.
    Predmet.heslá Ga2O3
    Gallium oxide
    thermal stability
    MOCVD
    degradation
    Jazyk dok.angličtina
    URLhttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800122008162
    Druh dok.RBX - článok z periodika
    KategóriaADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    Kategória od 2022V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    V databázach
    Rok2023
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.