Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD

Počet záznamov: 1

Údaje o názve	Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD / aut. Filip Gucmann, Peter Nádaždy, Kristína Hušeková, Edmund Dobročka, Juraj Priesol, Fridrich Egyenes, Alexander Šatka, Alica Rosová, Milan Ťapajna
Záhlavie-meno	Gucmann, Filip, 1987- (Autor)
Ďal.zodpovednosť	Nádaždy, Peter Z5 (Autor)
	Hušeková, Kristína (Autor)
	Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Autor)
	Priesol, Juraj, 1986- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
	Egyenes, Fridrich (Autor)
	Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
	Rosová, Alica (Autor)
	Ťapajna, Milan, 1977- (Autor)
In	Materials Science in Semiconductor Processing. -- ISSN 1369-8001. -- Vol. 156, (2023), Art. no. 107289 [9] s.
Predmet.heslá	Ga2O3
	Gallium oxide
	thermal stability
	MOCVD
	degradation
Jazyk dok.	angličtina
URL	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800122008162
Druh dok.	RBX - článok z periodika
Kategória	ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
Kategória od 2022	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
V databázach
Rok	2023

článok

citace PRO

Počet záznamov: 1