Počet záznamov: 1
Application of Proton Irradiation in the Study of Accelerated Radiation Ageing in a GaAs Semiconductor
Údaje o názve Application of Proton Irradiation in the Study of Accelerated Radiation Ageing in a GaAs Semiconductor Záhlavie-meno Neuhold, Igor, 1984- (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva Ďal.zodpovednosť Noga, Pavol, 1982- Z2 (Autor) - MTF Ústav výskumu progresívnych technológií Sojak, Stanislav, 1984- Z2 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva Petriska, Martin, 1974- Z2 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva Degmová, Jarmila, 1972- Z1 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva Slugeň, Vladimír, 1962- Z1 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva Kršjak, Vladimír, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva Poznámky A+ In Materials [elektronický zdroj]. -- ISSN 1996-1944. -- Vol. 16, iss. 3 (2023), Art. no. 1089 [11] s. Predmet.heslá semiconductors WBG materials proton irradiation ageing gallium arsenide Positron annihilation spectroscopy Jazyk dok. angličtina URL https://www.mdpi.com/1996-1944/16/3/1089 Druh dok. RBX - článok z periodika Kategória ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Kategória od 2022 V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok V databázach CC: 000932956100001
WOS: 000932956100001
DOI: 10.3390/ma16031089
SCOPUS: 2-s2.0-85147925525Rok 2023 
článok
Počet záznamov: 1