Application of Proton Irradiation in the Study of Accelerated Radiation Ageing in a GaAs Semiconductor

Počet záznamov: 1

Údaje o názve	Application of Proton Irradiation in the Study of Accelerated Radiation Ageing in a GaAs Semiconductor
Záhlavie-meno	Neuhold, Igor, 1984- (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva
Ďal.zodpovednosť	Noga, Pavol, 1982- Z2 (Autor) - MTF Ústav výskumu progresívnych technológií
	Sojak, Stanislav, 1984- Z2 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva
	Petriska, Martin, 1974- Z2 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva
	Degmová, Jarmila, 1972- Z1 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva
	Slugeň, Vladimír, 1962- Z1 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva
	Kršjak, Vladimír, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva
Poznámky	A+
In	Materials [elektronický zdroj]. -- ISSN 1996-1944. -- Vol. 16, iss. 3 (2023), Art. no. 1089 [11] s.
Predmet.heslá	semiconductors
	WBG materials
	proton irradiation
	ageing
	gallium arsenide
	Positron annihilation spectroscopy
Jazyk dok.	angličtina
URL	https://www.mdpi.com/1996-1944/16/3/1089
Druh dok.	RBX - článok z periodika
Kategória	ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
Kategória od 2022	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
V databázach	CC: 000932956100001 WOS: 000932956100001 DOI: 10.3390/ma16031089 SCOPUS: 2-s2.0-85147925525
Rok	2023

článok

citace PRO

Počet záznamov: 1