- Electrically Active Defects in InAlGaN/GaN HEMT structures
Počet záznamov: 1  

Electrically Active Defects in InAlGaN/GaN HEMT structures

  1. Údaje o názveElectrically Active Defects in InAlGaN/GaN HEMT structures / aut. Matej Matuš, Jakub Drobný, Martin Florovič, Juraj Marek, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
    Záhlavie-meno Matuš, Matej, 1997- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Ďal.zodpovednosť Drobný, Jakub, 1994- (Autor)
    Florovič, Martin, 1978- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Marek, Juraj, 1983- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Delage, Sylvain Laurent Z6 (Autor)
    Stuchlíková, Ľubica, 1967- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    In WOCSDICE‐EXMATEC 2023 [214 s.] / Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe. -- Palermo : Universitá Degli Studi di Palermo, 2023. -- S. 21-22
    Jazyk dok.angličtina
    Druh dok.RZB - článok zo zborníka
    KategóriaBEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
    Kategória od 2022O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok z podujatia
    Rok2023
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.