Počet záznamov: 1
Electrically Active Defects in InAlGaN/GaN HEMT structures
Údaje o názve Electrically Active Defects in InAlGaN/GaN HEMT structures / aut. Matej Matuš, Jakub Drobný, Martin Florovič, Juraj Marek, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková Záhlavie-meno Matuš, Matej, 1997- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Drobný, Jakub, 1994- (Autor) Florovič, Martin, 1978- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Marek, Juraj, 1983- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Delage, Sylvain Laurent Z6 (Autor) Stuchlíková, Ľubica, 1967- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky In WOCSDICE‐EXMATEC 2023 [214 s.] / Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe. -- Palermo : Universitá Degli Studi di Palermo, 2023. -- S. 21-22 Jazyk dok. angličtina Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória BEE - 13/Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované) Kategória od 2022 O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok 2023 článok
Počet záznamov: 1