Počet záznamov: 1
Investigation of the material properties of thin epitaxial Ga2O3 films grown by liquid-injection MOCVD on (111) Si with AlN buffer
Údaje o názve Investigation of the material properties of thin epitaxial Ga2O3 films grown by liquid-injection MOCVD on (111) Si with AlN buffer / aut. Miriam Krettová, Kristína Hušeková, Mateusz Wosko, Edmund Dobročka, Zdenko Zápražný, Iryna Kozak, Hemendra Chouhan, Fridrich Egyenes, Ondrej Pohorelec, Milan Ťapajna, Regina Paszkiewicz, Filip Gucmann Záhlavie-meno Krettová, Miriam, 1997- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Hušeková, Kristína (Autor) Wosko, Mateusz (Autor) Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Autor) Zápražný, Zdenko, 1980- (Autor) Kozak, Iryna (Autor) Chouhan, Hemendra, 1992- Z3 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Egyenes, Fridrich (Autor) Pohorelec, Ondrej, 1995- (Autor) Ťapajna, Milan, 1977- (Autor) Paszkiewicz, Regina (Autor) Gucmann, Filip, 1987- (Autor) In ELITECH´25 [CD ROM, 208 s.] / Kozáková, Alena. -- Bratislava : Vydavateľstvo Spektrum STU, 2025. -- ISBN 978-80-227-5492-7. -- [5] s. Predmet.heslá Ga2O3 MOCVD AlN Si heteroepitaxy Jazyk dok. angličtina Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória od 2022 V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok 2025 
článok
Počet záznamov: 1