Počet záznamov: 1  

Analýza, návrh a simulácia výkonového bipolárného tranzistora s izolovaným hradlom - IGBT

  1. Údaje o názveAnalýza, návrh a simulácia výkonového bipolárného tranzistora s izolovaným hradlom - IGBT
    Záhlavie-meno Harmoš, Kamil (Autor)
    Ďal.zodpovednosť Hulényi, Ladislav, 1938- (Školiteľ (konzultant)) - FEI Katedra mikroelektroniky
    Racko, Juraj, 1953- (Školiteľ (konzultant)) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Vyd.údajeBratislava : STU v Bratislave FEI, 2005
    FakultaFEI
    Fyz.popis66 s
    Predmet.heslá elektronika
    KrajinaSlovensko, Slovenská republika
    Jazyk dok.slovenčina
    Druh dok.DDP - diplomová práca
    kniha

    kniha


Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.