Počet záznamov: 1
The Effect of High Temperature Annealing on the Properties of MOS Structures on Nitrogen Doped Silicon
Údaje o názve The Effect of High Temperature Annealing on the Properties of MOS Structures on Nitrogen Doped Silicon Záhlavie-meno Harmatha, Ladislav, 1948- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Ballo, Peter, 1960- (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva Ťapajna, Milan, 1977- (Autor) Csabay, Otto, 1937- (Autor) - FEI Katedra mikroelektroniky Nemec, Michal, 1984- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky In APCOM 2009. Applied Physics of Condensed Matter : Proceedings of the 15th International Workshop. Bystrá, Slovak Republic, 24.-26.6.2009 /. -- Žilina : Žilinská univerzita, 2009. -- s.156-159 Jazyk dok. angličtina Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória od 2022 V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Rok 2009 článok
Počet záznamov: 1