Počet záznamov: 1
Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN
Údaje o názve Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN : č.ved.odb.: 26-13-9, dát. obhaj. 1.2.2010 Záhlavie-meno Čičo, Karol (Autor) Ďal.zodpovednosť Kuzmík, Ján (Školiteľ (konzultant)) Vyd.údaje Bratislava : Elektrotechnický ústav SAV, 2009 Fyz.popis 107 s Predmet.heslá MOS štruktúry tenké vrstvy meranie dielektrických veličín tranzistory Krajina Slovensko, Slovenská republika Jazyk dok. slovenčina Druh dok. DDZ - dizertačná práca 
kniha
Čiar.kód Lokačná signatúra Signatúra Lokácia Dislokácia Info 284ED01264 E*ZP-128 Fakulta elektrotechniky a informatiky Knižnica FEI
Počet záznamov: 1