Počet záznamov: 1
Research of HCN Passivated Very Thin Oxide/Silicon Structures with Advanced Equipment Based on Transient Event Principle
Údaje o názve Research of HCN Passivated Very Thin Oxide/Silicon Structures with Advanced Equipment Based on Transient Event Principle Záhlavie-meno Rusnák, Jaroslav (Autor) Ďal.zodpovednosť Ružinský, Michal, 1945- (Autor) - FEI Ústav elektroenergetiky a aplikovanej elektrotechniky Kobayashi, M. (Autor) Štefečka, Miloslav (Autor) Pinčík, Emil (Autor) In CCATM´2010 : 15th CSM Conference and Exhibition on Analysis & Testing of Materials. Beijing, China, 12-15.9.2010. -- Beijing : ICASI, 2010. -- s.CD-Rom Jazyk dok. angličtina Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória AFG - Abstrakty príspevkov zo zahraničných konferencií Kategória od 2022 V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Rok 2010 
článok
Počet záznamov: 1