Počet záznamov: 1  

Behaviour of Amorphous Silicon Carbide in Au/a-SiC/Si Heterostructures Prepared by PECVD Technology Using Two Different RF Modes

  1. Údaje o názveBehaviour of Amorphous Silicon Carbide in Au/a-SiC/Si Heterostructures Prepared by PECVD Technology Using Two Different RF Modes
    Záhlavie-meno Perný, Milan, 1985- (Autor) - FEI Ústav elektroenergetiky a aplikovanej elektrotechniky
    Ďal.zodpovednosť Mikolášek, Miroslav, 1983- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Šály, Vladimír, 1956- (Autor) - FEI Ústav elektroenergetiky a aplikovanej elektrotechniky
    Ružinský, Michal, 1945- (Autor) - FEI Ústav elektroenergetiky a aplikovanej elektrotechniky
    Ďurman, Vladimír, 1946- (Autor) - FEI Ústav elektroenergetiky a aplikovanej elektrotechniky
    Pavúk, Milan, 1980- (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva
    Huran, Jozef (Autor)
    Országh, Juraj (Autor)
    Matejčík, Štefan (Autor)
    Prekl.názVlastnosti amorfného karbidu kremíka v heteroštruktúre Au/a-SiC/Si pripraveného metódou PECVD využitím dvoch RF módov
    In Applied Surface Science. -- Vol. 269 (2013), s.143-147
    Jazyk dok.angličtina
    Druh dok.RBX - článok z periodika
    KategóriaADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    Kategória od 2022V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Rok2013
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.