Počet záznamov: 1  

Vysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN

  1. CREPC201502 CREPC201503 CREPC201506
    Údaje o názveVysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN : dát. obhaj. 23.9.2014, č. ved. odb. 5-2-13
    Záhlavie-meno Jurkovič, Michal, 1986- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Prekl.názHigh-power normally-off GaN-based switching transistors
    Vyd.údajeBratislava : STU v Bratislave FEI, 2014
    FakultaFEI
    Dátum obhajoby23.09.2014
    Študijný program99
    Fyz.popis107 s AUTOREF. 2014, 33 s.
    Predmet.heslá Mikroelektronika
    Microelectronics
    breakdown
    výkon
    GaN
    MOS
    KrajinaSlovensko, Slovenská republika
    Jazyk dok.slovenčina
    URLhttp://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=84348
    Druh dok.DDZ - dizertačná práca
    KategóriaDAI - Dizertačné a habilitačné práce
    Rok2014
    kniha

    kniha

    Čiar.kódLokačná signatúraSignatúraLokáciaDislokáciaInfo
    284ED01463E*ZP-334Fakulta elektrotechniky a informatikyKnižnica FEI

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.