Počet záznamov: 1
Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti
Údaje o názve Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000 Záhlavie-meno Pudiš, Dušan (Autor) Ďal.zodpovednosť Kováč, Jaroslav, 1947- (Školiteľ (konzultant)) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Vyd.údaje Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2000 Fakulta FEI Fyz.popis 107 s Predmet.heslá elektronika optoelektronika fyzika polovodičov polovodičové štruktúry polovodičové materiály LED GaAs MDT 538.971 621.315.592 Jazyk dok. angličtina Druh dok. DDZ - dizertačná práca Kategória DAI - Dizertačné a habilitačné práce 
kniha
Čiar.kód Lokačná signatúra Signatúra Lokácia Dislokácia Info 284ED00047 E*PGŠ-807 Fakulta elektrotechniky a informatiky Knižnica FEI
Počet záznamov: 1