Počet záznamov: 1  

GaAs-based MOS structures

  1. Údaje o názveGaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
    Záhlavie-meno Gucmann, Filip (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Ďal.zodpovednosť Gregušová, Dagmar Z5 (Školiteľ (konzultant))
    Prekl.názKov-oxid-polovodič (MOS) štruktúry na GaAs
    Vyd.údajeBratislava : STU v Bratislave FEI, 2015
    FakultaFEI
    Dátum obhajoby03.12.2015
    Študijný odbor5.2.13. elektronika
    Študijný programD-ME
    Fyz.popis115 s.
    Predmet.hesláGaAs
    MOS
    Heteroštruktúra
    MOS
    Heterostructure
    GaAs
    Jazyk dok.angličtina
    URLhttp://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130535
    Druh dok.DDZ - dizertačná práca
    KategóriaDAI - Dizertačné a habilitačné práce
    kniha

    kniha

    Čiar.kódLokačná signatúraSignatúraLokáciaDislokáciaInfo
    284ED01525E*ZP- 389Fakulta elektrotechniky a informatikyKnižnica FEI

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.