Počet záznamov: 1
Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch pre 5G sieť
Údaje o názve Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch pre 5G sieť Záhlavie-meno Matuš, Matej (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Stuchlíková, Ľubica Z1 (Školiteľ (konzultant)) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Prekl.náz Investigation of Defect in Modern Semiconductor Materials for 5G network Vyd.údaje Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2020 Fakulta FEI Dátum obhajoby 02.07.2020 Študijný odbor elektrotechnika Študijný program B-ELN Fyz.popis 68 s. Predmet.heslá InAlGaN/GaN HEMT štruktúra DLTFS Hlboké energetické hladiny FAT FET GaN GaN InAlGaN/GaN HEMT structure DLTFS deep energy level FAT FET Krajina Slovensko, Slovenská republika Jazyk dok. slovenčina URL https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=69B07E5EF4F2B22F098DB6C7FD1B&seo=CRZP-detail-kniha Druh dok. DBP - bakalárska práca 
kniha
Počet záznamov: 1