Počet záznamov: 1
Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
Údaje o názve Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín Záhlavie-meno Vadovský, Jakub (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Stuchlíková, Ľubica Z1 (Školiteľ (konzultant)) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Prekl.náz Investigation of Emission and Capture Processes in InAlGaN/GaN HEMT Structures by Deep Level Transient Spectroscopy Vyd.údaje Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2021 Fakulta FEI Dátum obhajoby 08.06.2021 Študijný odbor elektrotechnika Študijný program I-EN Fyz.popis 70 s. Predmet.heslá DLTS DLTFS hlboké energetické hladiny pasivácia HEMT InAlGaN/GaN DLTS DLTFS deep energy levels passivation HEMTS InAlGaN/GaN Krajina Slovensko, Slovenská republika Jazyk dok. slovenčina URL https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=2DF2AC71C78DA39E9DFAB2873752&seo=CRZP-detail-kniha Druh dok. DDP - diplomová práca 
kniha
Počet záznamov: 1