Počet záznamov: 1  

Skúmanie porúch v moderných tranzistorových štruktúrach pre výkonové aplikácie

  1. Údaje o názveSkúmanie porúch v moderných tranzistorových štruktúrach pre výkonové aplikácie
    Záhlavie-meno Faraga, Jan (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Ďal.zodpovednosť Stuchlíková, Ľubica Z1 (Školiteľ (konzultant)) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Prekl.názInvestigation of Defects in Advanced Transistor Structures for Power Applications
    Vyd.údajeBratislava :
    STU v Bratislave FEI,
    2021
    FakultaFEI
    Dátum obhajoby29.06.2021
    Študijný odborelektrotechnika
    Študijný programB-ELN
    Fyz.popis54 s.
    Predmet.hesláelektricky aktívne defekty
    IGBT
    DLTFS
    Arrheniová závislosť
    IGBT
    DLTFS
    electrically active defects
    Arrhenius plot
    KrajinaSlovensko, Slovenská republika
    Jazyk dok.slovenčina
    URLhttps://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=FD5533CA5E14D63E45B76AE9A2AD&seo=CRZP-detail-kniha
    Druh dok.DBP - bakalárska práca
    kniha

    kniha


Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko