Počet záznamov: 1
Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
Údaje o názve Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN Záhlavie-meno Matuš, Matej (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Stuchlíková, Ľubica Z1 (Školiteľ (konzultant)) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Prekl.náz Distribution of electrically active defects in modern semiconductor devices based on GaN Vyd.údaje Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2022 Fakulta FEI Dátum obhajoby 07.06.2022 Študijný odbor elektrotechnika Študijný program I-EN Fyz.popis 65 s. Predmet.heslá GaN InAlGaN/GaN HEMT elektricky aktívne poruchy DLTFS MCTS GaN InAlGaN/GaN HEMT electrically active defects DLTFS MCTS Krajina Slovensko, Slovenská republika Jazyk dok. slovenčina URL https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=4F55101800366CEF54FDC2DB109A&seo=CRZP-detail-kniha Druh dok. DDP - diplomová práca 
kniha
Počet záznamov: 1