Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMT /

Počet záznamov: 1

Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMT

Údaje o názve	Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMT / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Alexander Šatka, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík
Záhlavie-meno	Chvála, Aleš, 1981- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
Ďal.zodpovednosť	Nagy, Lukáš, 1985- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
	Marek, Juraj, 1983- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
	Priesol, Juraj, 1986- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
	Donoval, Daniel, 1953- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
	Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
	Blaho, Michal, 1982- (Autor)
	Gregušová, Dagmar (Autor)
	Kuzmík, Ján (Autor)
In	Journal of Circuits Systems and Computers. -- ISSN 0218-1266. -- Vol. 28, No. 1 (2019), Art. no. 1940009 [10] s.
Predmet.heslá	monolithic integration
	NAND and NOR logic cells
	InAlN/GaN HEMT
	2D device modeling and simulation
	HEMT circuit model
Jazyk dok.	angličtina
Druh dok.	RBX - článok z periodika
Kategória	ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
Kategória od 2022	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
V databázach
Rok	2019

článok

citace PRO

Počet záznamov: 1