- DLTFS study of power GaN HEMTs before and after applied electrical st…
Počet záznamov: 1  

DLTFS study of power GaN HEMTs before and after applied electrical stress

  1. Údaje o názveDLTFS study of power GaN HEMTs before and after applied electrical stress / aut. Matej Matuš, Jozef Kozárik, Michal Minárik, Juraj Marek, Ľubica Stuchlíková
    Záhlavie-meno Matuš, Matej, 1997- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Ďal.zodpovednosť Kozárik, Jozef, 1993- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Minárik, Michal, 1995- Z8 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Marek, Juraj, 1983- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Stuchlíková, Ľubica, 1967- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    In ADEPT 2025 [257 s.] / International conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADEPT 2025). -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2025. -- ISBN 978-80-554-2208-4. -- S. 201-204
    Predmet.heslá e-mode GaN HEMT
    electrical stress
    DLTFS
    nitrogen point defects
    Jazyk dok.angličtina
    Druh dok.RZB - článok zo zborníka
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Kategória od 2022V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok z podujatia
    Rok2025
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.