Počet záznamov: 1
Structural characterization of twinning in β-Ga2O3 filament inclusions on Ga2O3 thin films epitaxially grown on sapphire substrates by MOCVD
Údaje o názve Structural characterization of twinning in β-Ga2O3 filament inclusions on Ga2O3 thin films epitaxially grown on sapphire substrates by MOCVD / aut. Roshan Jeevan Chidambaram, Alica Rosová, Edmund Dobročka, Kristína Hušeková, Milan Ťapajna, Filip Gucmann Záhlavie-meno Chidambaram, Roshan Jeevan (Autor) - FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva Ďal.zodpovednosť Rosová, Alica (Autor) Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Autor) Hušeková, Kristína (Autor) Ťapajna, Milan, 1977- (Autor) Gucmann, Filip, 1987- (Autor) In ELITECH´25 [CD ROM, 208 s.] / Kozáková, Alena. -- Bratislava : Vydavateľstvo Spektrum STU, 2025. -- ISBN 978-80-227-5492-7. -- [5] s. Predmet.heslá Gallium oxide Epitaxy twinning m-plane sapphire Jazyk dok. angličtina Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória od 2022 V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok 2025 
článok
Počet záznamov: 1