Počet záznamov: 1
Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMT
Údaje o názve Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMT / aut. Aleš Chvála, Lukáš Nagy, Juraj Marek, Juraj Priesol, Daniel Donoval, Alexander Šatka, Michal Blaho, Dagmar Gregušová, Ján Kuzmík Záhlavie-meno Chvála, Aleš, 1981- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Nagy, Lukáš, 1985- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Marek, Juraj, 1983- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Priesol, Juraj, 1986- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Donoval, Daniel, 1953- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Šatka, Alexander, 1960- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Blaho, Michal, 1982- (Autor) Gregušová, Dagmar (Autor) Kuzmík, Ján (Autor) In Journal of Circuits Systems and Computers. -- ISSN 0218-1266. -- Vol. 28, No. 1 (2019), Art. no. 1940009 [10] s. Predmet.heslá monolithic integration NAND and NOR logic cells InAlN/GaN HEMT 2D device modeling and simulation HEMT circuit model Jazyk dok. angličtina Druh dok. RBX - článok z periodika Kategória ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Kategória od 2022 V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Rok 2019 Ohlasy [1] 2021: LV, Zhihao - XU, Zhiwei - SONG, Chunyi. A compact model for dual-gate GaAs PHEMT and application for power amplifier design. In IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2021, vol. 18, no. 20, pp. ISSN 1349-2543. 2025: DU, Fangzhou - JIANG, Yang - WANG, Ziyang - WEN, Kangyao - LI, Mujun - WANG, Xiaohui - ZHANG, Yi - DENG, Chenkai - WANG, Qing - YU, Hongyu. High-Performance InAlN/GaN HEMTs and Monolithically Integrated Inverters enabled by InAlOxN1-x Plasma-Induced-Oxidation Charge Trapping Layer. In Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics. 2025, pp. 281-284. ISBN 978-488686441-3. 
článok
Počet záznamov: 1