Preparation and Properties of MOSHFETs Based on MOVPE Grown AlGaN/GaN Heterostructure and MOCVD Deposited Al2O3 Gate Oxide

Počet záznamov: 1

Údaje o názve	Preparation and Properties of MOSHFETs Based on MOVPE Grown AlGaN/GaN Heterostructure and MOCVD Deposited Al2O3 Gate Oxide
Záhlavie-meno	Gregušová, Dagmar (Autor)
Ďal.zodpovednosť	Stoklas, Roman (Autor)
	Čičo, Karol (Autor)
	Lalinský, Tibor (Autor)
	Fröhlich, Karol (Autor)
	Novák, J. (Autor)
	Kordoš, Pavol (Autor)
In	EW-MOVPE. 12th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy : Bratislava, Slovakia, 3.-6.6.2007. -- Bratislava : Slovak Academy of Sciences, 2007. -- s.85-88
Jazyk dok.	angličtina
Druh dok.	RZB - článok zo zborníka
Rok	2007

článok

citace PRO

Počet záznamov: 1