Počet záznamov: 1
Charakterizácia polovodičových štruktúr pre vertikálne GaN tranzistory metódami SEM
SYS 0086485 LBL 00000naa--22^^^^^-a-4500 003 SK-STU 005 20221104211918.7 007 ta 008 210118s^^^^-----------e------000-0-----d 035 $a biblio/231840 $2 CREPC2 040 $a STU $b slo 041 0-
$a slo 100 1-
$7 stu_us_auth*stu80446 $a Priesol, Juraj, $d 1986- $u 033000 $4 aut $9 25 $r Z2 $U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky $T FEI Ústav elektroniky a fotoniky $X 28614 $U E030 $Y 549 242 01
$a Characterization of semiconductor structures for vertical GaN transistors by SEM methods $y eng 245 10
$a Charakterizácia polovodičových štruktúr pre vertikálne GaN tranzistory metódami SEM / $c aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, František Uherek, Daniel Haško, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík 650 04
$7 stu_us_auth*0091639 $a vertikálny GaN tranzistor 650 04
$7 stu_us_auth*stus31412 $a rastrovacia elektrónová mikroskopia 650 04
$7 stu_us_auth*0091640 $a katódoluminiscencia 700 1-
$7 stu_us_auth*stu9834 $a Šatka, Alexander, $d 1960- $u 033000 $r Z1 $4 aut $9 25 $U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky $T FEI Ústav elektroniky a fotoniky $X 1865 $U E030 $Y 549 700 1-
$7 stu_us_auth*stu1482 $a Uherek, František, $d 1954- $u 033000 $r Z1 $4 aut $9 10 $U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky $T FEI Ústav elektroniky a fotoniky $X 1937 $U E030 $Y 549 700 1-
$7 stu_us_auth*stu66060 $a Haško, Daniel, $d 1975- $r Z5 $4 aut $9 10 $X 36648 700 1-
$7 stu_us_auth*0047250 $a Šichman, Peter $4 aut $9 10 700 1-
$7 stu_us_auth*stu39769 $a Hasenöhrl, Stanislav $r Z5 $4 aut $9 10 700 1-
$7 stu_us_auth*stu70421 $a Kuzmík, Ján $4 aut $9 10 773 0-
$w stu_us_cat*0086484 $t Fotonika 2020 $h 34 s. $z 978-80-972238-9-2 $7 m2am $a Výročný vedecký seminár Medzinárodného laserového centra (FOTONIKA 2020) $d Bratislava : Medzinárodné laserové centrum, 2020 $g S. 11-14
Počet záznamov: 1