Počet záznamov: 1  

Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN

  1. SYSstu173019
    LBL
      
    00000ntm--22000003a-4500
    005
      
    20150709141607.3
    008
      
    081016s2008------------------------slo-d
    040
      
    $a STU $b slo
    041
    0-
    $a slo
    100
    1-
    $a Stoklas, Roman $4 aut $7 stu_us_auth*stu65020
    245
    1-
    $a Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN : $b č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008
    260
      
    $a Bratislava : $b Elektrotechnický ústav SAV, $c 2008
    300
      
    $a 114 s
    650
    -7
    $a elektronika $2 stusub $7 stu_us_auth*stus23
    650
    -7
    $a Mikroelektronika $2 stusub $7 stu_us_auth*stus47572
    700
    1-
    $a Gregušová, Dagmar $4 ths $7 stu_us_auth*stu58958

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.