Počet záznamov: 1
Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii
SYS stu230879 LBL 00000ntm--22000003a-4500 005 20150617230140.6 008 110709s2011----xo------------------slo-d 040 $a STU $b slo 041 0-
$a slo 044 $a xo 100 1-
$a Jančovič, Jozef, $d 1988- $4 aut $u E $7 stu_us_auth*stu109036 $T FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky $X 55746 $U E $Y 30 242 00
$a Simulation of the electrical properties of the MOS transistor in SOI technology $y eng 245 1-
$a Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii 260 $a Bratislava : $b STU v Bratislave FEI, $c 2011 300 $a 39 s 650 -7
$a elektronika $2 stusub $7 stu_us_auth*stus23 650 -7
$a Electronics $2 estusub $7 stu_us_auth*stus30850 650 -7
$a modely $2 stusub $7 stu_us_auth*stus660 650 -7
$a simulácia $2 stusub $7 stu_us_auth*stus63 650 -7
$a elektronické prvky $2 stusub $7 stu_us_auth*stus1474 650 -7
$a models $2 estusub $7 stu_us_auth*stus32219 650 -7
$a simulation $2 estusub $7 stu_us_auth*stus14716 700 1-
$a Chvála, Aleš, $d 1981- $4 ths $u E030 $7 stu_us_auth*stu57774 $U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky $T FEI Ústav elektroniky a fotoniky $X 10315 $U E030 $Y 549 856 4-
$a info a plný text $u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=56314 $3 VAIS
Počet záznamov: 1