Počet záznamov: 1  

Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii

  1. SYSstu230879
    LBL
      
    00000ntm--22000003a-4500
    005
      
    20150617230140.6
    008
      
    110709s2011----xo------------------slo-d
    040
      
    $a STU $b slo
    041
    0-
    $a slo
    044
      
    $a xo
    100
    1-
    $a Jančovič, Jozef, $d 1988- $4 aut $u E $7 stu_us_auth*stu109036 $T FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky $X 55746 $U E $Y 30
    242
    00
    $a Simulation of the electrical properties of the MOS transistor in SOI technology $y eng
    245
    1-
    $a Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii
    260
      
    $a Bratislava : $b STU v Bratislave FEI, $c 2011
    300
      
    $a 39 s
    650
    -7
    $a elektronika $2 stusub $7 stu_us_auth*stus23
    650
    -7
    $a Electronics $2 estusub $7 stu_us_auth*stus30850
    650
    -7
    $a modely $2 stusub $7 stu_us_auth*stus660
    650
    -7
    $a simulácia $2 stusub $7 stu_us_auth*stus63
    650
    -7
    $a elektronické prvky $2 stusub $7 stu_us_auth*stus1474
    650
    -7
    $a models $2 estusub $7 stu_us_auth*stus32219
    650
    -7
    $a simulation $2 estusub $7 stu_us_auth*stus14716
    700
    1-
    $a Chvála, Aleš, $d 1981- $4 ths $u E030 $7 stu_us_auth*stu57774 $U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky $T FEI Ústav elektroniky a fotoniky $X 10315 $U E030 $Y 549
    856
    4-
    $a info a plný text $u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=56314 $3 VAIS

Počet záznamov: 1