Počet záznamov: 1
Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD
Údaje o názve Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD / aut. Prerna Chauhan, Stanislav Hasenöhrl, Edmund Dobročka, Marie-Pierre Chauvat, A Minj, Filip Gucmann, Ľubomír Vančo, Jaroslav jr Kováč, S Kret, Pierre Ruterana, Martin Kuball, Peter Šiffalovič, Ján Kuzmík Záhlavie-meno Chauhan, Prerna (Autor) Ďal.zodpovednosť Hasenöhrl, Stanislav Z5 (Autor) Dobročka, Edmund, 1955- Z5 (Autor) Chauvat, Marie-Pierre (Autor) Minj, A. (Autor) Gucmann, Filip, (Autor) Vančo, Ľubomír, 1983- Z2 (Autor) - Centrum STU pre nanodiagnostiku Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Kret, S. (Autor) Ruterana, Pierre (Autor) Kuball, Martin (Autor) Šiffalovič, Peter (Autor) Kuzmík, Ján (Autor) In Journal of Applied Physics. -- ISSN 0021-8979. -- 125, iss. 10 (2019), s. 5304-5304 Jazyk dok. angličtina Druh dok. RBX - článok z periodika Kategória ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Kategória od 2022 V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu V databázach CC: 000461370200025
WOS: 000461370200025Rok 2019 článok
Počet záznamov: 1