Košík

  Odznačiť vybrané:   0

  1.  

    HEMT average temperature determination utilizing low-power device operation / aut. Martin Florovič, Jaroslav jr Kováč, Aleš Chvála, Jaroslav Kováč, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    IEEE Transactions on Electron Devices . Vol. 69, No. 10 (2022), s. 5484-5489
    AlGaN average channel temperature charge trapping FET GaN HEMT
    https://ieeexplore.ieee.org/document/9875358
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    článok

    článok

  2.  

    Tematický termínrozpony
    Druh súborupredmetové heslá
    Odkazy (1) - učebnica
    predmetové heslo

    predmetové heslo

  3.  

    Osobné menoValašíková, Alena,
    Iné menoValašíková, A.
    Druh súboruosoby
    Odkazy (1) - bakalárska práca
    (1) - diplomová práca
    (1) - článok
    osoba

    osoba


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko