Comparative study of the MeV ion channeling implantation induced damage in 6H-SiC by the iterative procedure and phenomenological CSIM computer code / aut. Marko P Gloginjić, Marko V Erich, Željko V Mravik, Branislav Vrban, Štefan Čerba, Jakub Lüley, Vendula Filová, Karel Katovský, Ondřej Štastný, Jiří Burian, Srdjan M Petrović
Gloginjić Marko P.  Erich Marko V. Mravik Željko V. Vrban Branislav ; 036000 Čerba Štefan ; 036000 Lüley Jakub ; 036000 Filová Vendula ; 036000 Katovský Karel Štastný Ondřej Burian Jiří Petrović Srdjan M.
Nuclear Technology and Radiation Protection . Vol. 37, Iss. 2 (2022), s. 128-137
silicon carbide computer simulation iterative procedure RBS/C and EBS/C spectrometry
http://www.doiserbia.nb.rs/Article.aspx?id=1451-39942202128G#.Y3dbPOSZOUk
článok z periodika
ADM - 13/NOVÉ Vedecké práce v zahraničných časopisoch registrovaných v databázach Web of Science alebo SCOPUS
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu