Košík

  Odznačiť vybrané:   0

  1.  

    Deep Level Transient Spectroscopy study of InAlGaN/GaN HEMT structures / aut. Matej Matuš, Jakub Drobný, Peter Benc, Martin Florovič, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
    Matuš Matej ; 033000  Drobný Jakub Benc Peter Florovič Martin ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
    ADEPT 2023 : . S. 103-106
    GaN HEMT defects Deep Level Transient Spectroscopy
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  2.  

    Normalizácia
    2010
    Bratislava : Úrad pre normalizáciu, metrológiu a skúšobníctvo SR
    Roč. 16, č. 1, rok 2010
    Normalizácia :
    ročník a/alebo číslo časopisu
    (1) - článok
    časopis

    časopis


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko