Košík

  Odznačiť vybrané:   0

  1.  

    Influence of plasma etching conditions on the farbrication of high aspect ratio GaAs structures for radiation detectors / aut. Tibor Izsák, Štefan Haščík, Eva Kováčová, Marian Vojs, Bohumír Zaťko
    Izsák Tibor  Haščík Štefan Kováčová Eva Vojs Marian ; 033000 Zaťko Bohumír
    ADEPT 2025 : . S. 182-185
    ICP GaAs deep reactive ion etching
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok

  2.  

    Tematický termínelektromagnetická kompatibilita
    Druh súborupredmetové heslá
    Odkazy (1) - encyklopédia
    (18) - monografia
    (1) - príručka
    (2) - skriptá
    (1) - učebnica
    (20) - zborník
    (3) - diplomová práca
    (2) - dizertačná práca
    (2) - habilitačná práca
    (2) - elektronický textový údaj
    (4) - článok
    predmetové heslo

    predmetové heslo


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko