Impact of repetitive UIS on modern GaN power devices / aut. Juraj Marek, Ľubica Stuchlíková, Martin Jagelka, Aleš Chvála, Patrik Príbytný, Martin Donoval, Daniel Donoval
Marek Juraj ; 033000  Stuchlíková Ľubica ; 033000 Jagelka Martin ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Príbytný Patrik ; 033000 Donoval Martin ; 039140 Donoval Daniel ; 033000
ASDAM 2016 : . S. 173-176
high-electron mobility transistor HEMT UIS inductive switching DLTS
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=7805923
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka