Simulation of real I-V characteristics of metal/GaN/AlGaN heterostructure based on the 12-EXT model of trap-assisted tunnelling / aut. Juraj Racko, Peter Benko, Miroslav Mikolášek, Ralf Granzner, Mario Kittler, Frank Schwierz, Ladislav Harmatha, Juraj Breza
Racko Juraj ; 033000  Benko Peter ; 033000 Mikolášek Miroslav ; 033000 Granzner Ralf Kittler Mario Schwierz Frank Harmatha Ladislav ; 033000 Breza Juraj ; 033000
Applied Surface Science . Vol. 395, (2017), s. 122-130
direct tunnelling trap-assisted tunnelling Metal/GaN/AlGaN heterostructure
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433216313496
článok z periodika
ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu