DLTS study of defects in SiC based devices / aut. Ľubica Stuchlíková, Ondrej Pohorelec, Richard Ravasz, Arpád Kósa, Peter Benko, Jaroslav Kováč, Sylvain Laurent Delage
Stuchlíková Ľubica ; 033000  Pohorelec Ondrej ; 030000 Ravasz Richard Kósa Arpád ; 033000 Benko Peter ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Delage Sylvain Laurent
International workshop on devices and applications project : . S. 38-40
DLTS deep energy level defect state
článok zo zborníka
BEF - 13/Odborné práce v domácich zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných); 12/(len nerecenzované)
O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka