Košík

  Odznačiť vybrané:   0
  1. AlGaN/GaN HEMT channel temperature determination utilizing external heater / aut. Martin Florovič, Robert Szobolovszký, Jaroslav jr Kováč, Jaroslav Kováč, Aleš Chvála, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
    Florovič Martin ; 033000  Szobolovszký Robert Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Kováč Jaroslav ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Jacquet Jean-Claude Delage Sylvain Laurent
    Semiconductor Science and Technology . Vol. 35, No. 2 (2020), Art. no. 025006 [6] s.
    dissipated power temperature profile HEMT FET GaN AlGaN
    https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab5d85
    článok z periodika
    ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
    (1) - článok
    článok

    článok