Investigation of electrically active defects in InAlGaN/GaN/SiC HEMT / aut. Jakub Vadovský, Jakub Drobný, Arpád Kósa, Peter Benko, Jaroslav Kováč, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková
Vadovský Jakub ; 030000  Drobný Jakub ; 033000 Kósa Arpád ; 033000 Benko Peter ; 033000 Kováč Jaroslav jr. ; 033000 Delage Sylvain Laurent Stuchlíková Ľubica ; 033000
ADEPT 2020 : . S. 179-182
HEMT DLTFS InAlGaN GTML FAT Schottky barrier
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka