Košík

  Odznačiť vybrané:   0
  1. Degradation of 600V GaN HEMT with p-GaN gate under repetitive short circuit stress / aut. Jozef Kozárik, Juraj Marek, Jozef Kozárik, Aleš Chvála, Krisztián Gašparek, Miroslav Jagelka, Martin Donoval
    Kozárik Jozef ; 033000  Marek Juraj ; 033000 Minárik Michal ; 033000 Chvála Aleš ; 033000 Gašparek Krisztián ; 033000 Jagelka Martin ; 033000 Donoval Martin ; 030690
    ADEPT 2021 : . S. 219-222
    GaN HEMT repetitive short circuit DLTS degradation
    článok zo zborníka
    AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.