Simulated Properties of LňFloating Gate Transistor for Memory Applications
Krajmer Mario ; E210  Ďuračková Daniela ; E030 Racko Juraj ; E030
ELITECH´10 : . s.CD-Rom
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka