Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
Pudiš Dušan  Kováč Jaroslav (škol.) ; E030
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2000
FEI ; . - 107 s
elektronika optoelektronika fyzika polovodičov polovodičové štruktúry polovodičové materiály LED GaAs
dizertačná práca
DAI - Dizertačné a habilitačné práce