Vytlačiť
1. Charakterizácia polovodičových štruktúr pre vertikálne GaN tranzistory metódami SEM
Názvové údaje : Charakterizácia polovodičových štruktúr pre vertikálne GaN tranzistory metódami SEM / aut. Juraj Priesol, Alexander Šatka, František Uherek, Daniel Haško, Peter Šichman, Stanislav Hasenöhrl, Ján Kuzmík
Variant(y) hesla : \q12*stu_us_auth*1 stu80446 \q \q1013 stu_us_auth*stu80446 \d Priesol Juraj \q ; 033000
%continue : \q12*stu_us_auth*1 stu9834 \q \q1013 stu_us_auth*stu9834 \d Šatka Alexander \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu1482 \q \q1013 stu_us_auth*stu1482 \d Uherek František \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu66060 \q \q1013 stu_us_auth*stu66060 \d Haško Daniel \q \q12*stu_us_auth*1 0047250 \q \q1013 stu_us_auth*0047250 \d Šichman Peter \q \q12*stu_us_auth*1 stu39769 \q \q1013 stu_us_auth*stu39769 \d Hasenöhrl Stanislav \q \q12*stu_us_auth*1 stu70421 \q \q1013 stu_us_auth*stu70421 \d Kuzmík Ján \q
In : \q12**1 0086484 \q
%continue : Fotonika 2020 :
%continue : . S. 11-14
Predmet : \q12*stu_us_auth*1 0091639 \q \q1013 stu_us_auth*0091639 \d vertikálny GaN tranzistor \q \q12*stu_us_auth*1 stus31412 \q \q1013 stu_us_auth*stus31412 \d rastrovacia elektrónová mikroskopia \q \q12*stu_us_auth*1 0091640 \q \q1013 stu_us_auth*0091640 \d katódoluminiscencia \q
Druh dok. : článok zo zborníka
Kategória : AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
Kategória od 2022 : V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka